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元件参数资料
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参数目录40285
> CPH6615-TL-E MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A CPH6
型号:
CPH6615-TL-E
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A CPH6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
CPH6615-TL-E PDF
产品目录绘图
CPH6 Package P, N, N/P, Dual N Channel Top
标准包装
1
系列
-
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.5A,1.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
105 毫欧 @ 1.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
-
闸电荷(Qg) @ Vgs
5.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
187pF @ 10V
功率 - 最大
900mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装
6-CPH
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1537 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
869-1145-1
查看CPH6615-TL-E代理商
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